| 专利名称 | 一种基于版图几何特征匹配的光刻解决方案预测方法 | 申请号 | CN201611184182.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106773541A | 公开（授权）日 | 2017.05.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 韦亚一;宋之洋;郭沫然;颜永利;董立松;苏晓菁;刘实 | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于版图几何特征匹配的光刻解决方案预测方法 至一种基于版图几何特征匹配的光刻解决方案预测方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种基于版图几何特征匹配的光刻解决方案预测方法，包括：获得标准版图几何信息数据库，获得待匹配版图几何信息，将待匹配版图几何信息和标准版图几何信息数据库中的几何信息进行匹配，根据匹配结果选取第一标准版图，将第一标准版图所对应的光刻解决方案作为待匹配版图的光刻解决方案候选，预测待匹配版图的光刻解决方案。解决了现有技术中不能分析未知或未受检测的几何图形组合、不能为未知的版图图形提供工艺研发的预选方案、无法直观反馈版图设计缺陷的问题。达到了为未知的版图图形提供工艺研发的预选方案，直观反馈版图设计缺陷的技术效果。 |
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