| 专利名称 | 硅漂移探测器 | 申请号 | CN201711489811.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108281506A | 公开（授权）日 | 2018.07.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 翟琼华;殷华湘;贾云丛;李贞杰 | 主分类号 | H01L31/102(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/102(2006.01)I | 专利有效期 | 硅漂移探测器 至硅漂移探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请提供了一种硅漂移探测器。该硅漂移探测器包括：包括探测区的N型硅片，探测区的正面区域包括间隔设置的一个正面环形N区与多个正面环形P区，探测区的背面区域包括P型区；隔离层，设置在N型硅片的正面上，隔离层具有多个间隔设置的第一接触孔；多个间隔的正面电极，包括阴极与阳极，阴极一一对应地设置在与正面环形P区连接的第一接触孔中，阳极置在与正面环形N区连接的第一接触孔中；背面电极，设置在P型区的远离探测区的正面区域的表面上；多个间隔的分压部，设置在隔离层的远离N型硅片的表面上，分压部位于相邻的两个阴极之间的隔离层的表面上，分压部与相邻的两个阴极分别电连接，分压部为半导体分压部。该探测器使用时操作简单。 |
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