| 专利名称 | 一类氮杂吲哚酮苯并呋喃酮?噻吩苯并噻二唑共轭聚合物及其制备方法与应用 | 申请号 | CN201711136229.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107814918A | 公开（授权）日 | 2018.03.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 张卫锋;史柯利;魏聪源;于贵 | 主分类号 | C08G61/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C08G61/12(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I | 专利有效期 | 一类氮杂吲哚酮苯并呋喃酮?噻吩苯并噻二唑共轭聚合物及其制备方法与应用 至一类氮杂吲哚酮苯并呋喃酮?噻吩苯并噻二唑共轭聚合物及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
本发明公开了一类氮杂吲哚酮苯并呋喃酮?噻吩苯并噻二唑共轭聚合物，其结构式如式Ⅰ所示，该类聚合物具有较宽的紫外?可见?近红外吸收光谱、良好的热学稳定性，具有合适的前沿轨道能级，有利于空穴和电子注入，可以制备空气稳定的双极性场效应晶体管。本发明的氮杂吲哚酮苯并呋喃酮?噻吩苯并噻二唑共轭聚合物的合成步骤少、收率高、聚合物度高、纯化工艺简单易行，适合大规模工业合成。以本发明氮杂吲哚酮苯并呋喃酮?噻吩苯并噻二唑共轭聚合物半导体材料为半导体层制备的有机场效应晶体管具有很高的空穴和电子迁移率。 |
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