| 专利名称 | SiC氧化中SiC-SiO2界面碳残留浓度的测定方法及其应用 | 申请号 | CN201811349529.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN109283298A | 公开（授权）日 | 2019.01.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘新宇;王盛凯;白云;汤益丹;韩忠霖;杨成樾;田晓丽;陈宏 | 主分类号 | G01N33/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N33/00(2006.01)I | 专利有效期 | SiC氧化中SiC-SiO2界面碳残留浓度的测定方法及其应用 至SiC氧化中SiC-SiO2界面碳残留浓度的测定方法及其应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种SiC氧化中SiC?SiO2界面碳残留浓度的测定方法，包括：提供一个包含SiC?SiO2界面的碳化硅衬底，所述包含SiC?SiO2界面的碳化硅衬底由SiC氧化获得；利用离子注入向所述碳化硅衬底内注入18O同位素，18O同位素与SiC?SiO2界面碳生成一氧化碳C18O；加热所述碳化硅衬底使一氧化碳C18O脱附；收集脱附出来的一氧化碳C18O，并检测其质量；根据一氧化碳C18O的质量计算SiC?SiO2界面碳残留浓度。本发明的方法操作简单，准确度高，适用于通过各种方法氧化SiC衬底得到的SiC?SiO2界面碳残留，通过筛选合格碳残留浓度的SiC衬底，可以提高产品的稳定性和可靠性。 |
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