专利名称 | HxMoO3-y纳米材料、HxMoO3-y电极以及包含其的太阳能电池及制备方法 | 申请号 | CN201810672757.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN108899422A | 公开(授权)日 | 2018.11.27 | 申请(专利权)人 | 深圳先进技术研究院 | 发明(设计)人 | 王欢 | 主分类号 | H01L51/42(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/42(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I | 专利有效期 | HxMoO3-y纳米材料、HxMoO3-y电极以及包含其的太阳能电池及制备方法 至HxMoO3-y纳米材料、HxMoO3-y电极以及包含其的太阳能电池及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请涉及太阳能电池技术领域。公开了一种新型HxMoO3?y纳米材料、包含该纳米材料的HxMoO3?y薄膜电极、以及包含该电极的钙钛矿太阳能电池及他们的制备方法。该纳米材料包含HxMoO3?y形成的直径为50~190nm、长度为0.1~20μm的纳米带,由其可以形成一种可以用作钙钛矿太阳能电池的对电极的HxMoO3?y薄膜电极。这种新型电极材料的功函与钙钛矿的能级更加匹配,有效降低了电荷传输势垒;其次,该新型材料的导电性优于碳电极,能够更有效地收集电荷;再次,与Au/Ag电极相比,该新型电极材料的生产成本较低。通过采用这种新型HxMoO3?y电极制备了钙钛矿太阳能电池,尤其是可以应用于无空穴传输层的钙钛矿太阳能电池中,可以得到高效稳定的钙钛矿太阳能电池。 |
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