| 专利名称 | 基于两步微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法 | 申请号 | CN201810521158.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108766887A | 公开（授权）日 | 2018.11.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘新宇;汤益丹;王盛凯;白云;杨成樾 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 基于两步微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法 至基于两步微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种基于两步微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法，包括：在凹槽栅刻蚀后，利用微波等离子体将凹槽栅表面的碳化硅氧化为二氧化硅，形成凹槽栅氧化层，其中形成凹槽栅氧化层的步骤包括：将进行凹槽栅刻蚀后的碳化硅衬底放置在微波等离子体发生装置中；通入第一含氧气体，产生的氧等离子体以第一升温速度升温到第一温度，在所述第一温度和第一压力下进行低温等离子体氧化；将氧等离子体以第二升温速度升温到第二温度，通入第二含氧气体，在所述第二温度和第二压力下进行高温等离子体氧化，直到生成预定厚度的二氧化硅；停止通入含氧气体，反应结束。本发明可以显著提高碳化硅的氧化效率，改善界面质量，形成均匀的栅介质层。 |
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