| 专利名称 | 用于微波等离子体发生装置的微孔微纳结构双耦合谐振腔 | 申请号 | CN201810521241.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108770175A | 公开（授权）日 | 2018.11.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘新宇;汤益丹;王盛凯;白云;杨成樾 | 主分类号 | H05H1/46(2006.01)I | IPC主分类号 | H05H1/46(2006.01)I | 专利有效期 | 用于微波等离子体发生装置的微孔微纳结构双耦合谐振腔 至用于微波等离子体发生装置的微孔微纳结构双耦合谐振腔 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种用于微波等离子体发生装置的微孔/微纳结构双耦合谐振腔，包括一圆柱形腔体，所述圆柱形腔体的周壁上均匀分布由多个微孔形成的微孔阵列，所述微孔的直径是波长的奇数倍，所述腔体的内壁上具有金属微纳结构，所述微孔阵列与金属微纳结构形成双耦合结构从而实现谐振增强和可调，所述金属微纳结构的周期尺寸为λ/n，λ为入射波长，n为谐振腔材料的折射率。本发明通过优化设计双耦合谐振方式，来减少引导模和泄漏模的损耗，达到在固定区域谐振最大程度增强的目的，并能提高等离子体的均匀性，保证光耦合和场空间局域增强特性的前提下，可改善吸收损耗问题，另外多个谐振腔独立控制，可以有效控制等离子体的温度。 |
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