| 专利名称 | 基于两步微波等离子体氧化的碳化硅氧化方法 | 申请号 | CN201810521200.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108666206A | 公开（授权）日 | 2018.10.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘新宇;汤益丹;王盛凯;白云;杨成樾 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 基于两步微波等离子体氧化的碳化硅氧化方法 至基于两步微波等离子体氧化的碳化硅氧化方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种基于两步微波等离子体氧化的碳化硅氧化方法，包括：提供碳化硅衬底；将所述碳化硅衬底放置在微波等离子体发生装置中；通入第一含氧气体，产生的氧等离子体以第一升温速度升温到第一温度，在所述第一温度和第一压力下进行低温等离子体氧化；将氧等离子体以第二升温速度升温到第二温度，通入第二含氧气体，在所述第二温度和第二压力下进行高温等离子体氧化，直到生成预定厚度的二氧化硅；停止通入含氧气体，反应结束；其中，第一温度为300?400℃，第二温度为700?900℃，所述第一压力为100?200mTorr，所述第二压力为700?900mTorr，所述第一升温速度大于所述第二升温速度。本发明可以显著提高碳化硅的氧化效率，有效改善界面质量。 |
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