| 专利名称 | 光电探测器与其制作方法 | 申请号 | CN201711244381.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108565311A | 公开（授权）日 | 2018.09.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 张兆浩;张青竹;殷华湘;徐忍忍 | 主分类号 | H01L31/113(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/113(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 光电探测器与其制作方法 至光电探测器与其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请提供了一种光电探测器与其制作方法。该光电探测器包括：衬底；第一半导体层，设置在衬底的部分表面上，第一半导体层与衬底之间具有微腔，和/或相邻的第一半导体层之间具有微腔；多个介电层，一个介电层设置在第一顶半导体层的远离衬底的表面上以及第一半导体层两侧的衬底的表面上，其他的介电层设置在微腔中且位于衬底的表面上，和/或其他的介电层设置在微腔中且位于第一半导体层的表面上；多个第二半导体层，一一对应地设置在介电层的远离第一半导体层或远离衬底的表面上，第二半导体层为二维半导体材料层；第一电极，设置在衬底的表面上；两个第二电极，设置在第二顶半导体层的远离介电层的表面上。该光电探测器的响应度较大。 |
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