| 专利名称 | 直接带隙发光的硅基材料及制备方法、芯片上发光器件 | 申请号 | CN201810203008.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108461584A | 公开（授权）日 | 2018.08.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 骆军委;袁林丁;李树深 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/34(2010.01)I | 专利有效期 | 直接带隙发光的硅基材料及制备方法、芯片上发光器件 至直接带隙发光的硅基材料及制备方法、芯片上发光器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种实现兼容CMOS工艺的直接带隙发光的硅基材料及其制备方法，该方法包括步骤：准备硅基材料，所述硅基材料为锗材料或者硅锗合金；在所述硅基材料的部分晶格间隙位置填入惰性气体原子和/或原子序数小的原子达到晶格体积膨胀，以实现其能带结构由间接带隙向直接带隙转变，得到直接带隙发光的硅基材料。此外，本发明还提供了一种发光硅基器件。本发明的制备方法兼容CMOS集成电路工艺，实现锗及硅锗合金材料的直接带隙发光，其发光效率比肩InP和GaAs等III?V族直接带隙材料，为实现硅基或锗基光电子集成技术所需的片上光源提供了一种全新的解决方案。 |
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