| 专利名称 | 一种GaAs基LFET太赫兹红外光探测器和制备方法 | 申请号 | CN201810090440.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108428764A | 公开（授权）日 | 2018.08.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 邓惠勇;潘昌翊;殷子薇;谢经辉;张祎;李世民;王超;戴宁 | 主分类号 | H01L31/112(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/112(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种GaAs基LFET太赫兹红外光探测器和制备方法 至一种GaAs基LFET太赫兹红外光探测器和制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种GaAs基LFET太赫兹红外光探测器和制备方法，该探测器包括吸收区、阻挡区、源漏区、介电区和栅区六个部分，制备方法包括五个步骤，即通过光刻、离子注入、等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)、热蒸发技术在高阻GaAs基底依次形成吸收区，源漏区(与阻挡区)，介电区，源漏电极，以及栅区。本发明的优点是：栅区电压导致吸收区载流子耗尽有效降低了光生电子?空穴对的复合速率，提高了内量子效率，从而提高了传统杂质光电导型光子探测器的探测率，并且与当前的半导体工艺技术相兼容。 |
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