| 专利名称 | 一种基于氧化转印的液态金属电路制备方法 | 申请号 | CN201710067893.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108401374A | 公开（授权）日 | 2018.08.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 赵曦;刘静 | 主分类号 | H05K3/12(2006.01)I | IPC主分类号 | H05K3/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于氧化转印的液态金属电路制备方法 至一种基于氧化转印的液态金属电路制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于氧化转印的液态金属电路制备方法，包括步骤：1)将目标电路用溶液预打印在基底材料上，所述溶液为氧化剂溶液或氢氧化物溶液，2)然后将液态金属覆盖在用溶液预打印的电路上，通过在溶液环境中调控液态金属的表面张力，使液态金属相对于基底材料的润湿性增加；3)将多余的未与预打印电路接触的液态金属除去，即可得到基于氧化转印的液态金属电路。本发明提供的基于氧化转印的液态金属电路制造方法，可应用于印刷电子电路和电子器件的制造中。由于打印的墨水是普通液体并非具有高表面张力的液态金属，因此使用普通的喷墨打印机便可以实现液态金属电路的制造。 |
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