| 专利名称 | 氮化物半导体发光器件及其制作方法 | 申请号 | CN201710022586.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108305918A | 公开（授权）日 | 2018.07.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 孙钱;冯美鑫;周宇;高宏伟;杨辉 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/16(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I;H01S5/22(2006.01)I;H01S5/30(2006.01)I | 专利有效期 | 氮化物半导体发光器件及其制作方法 至氮化物半导体发光器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
本申请公开了一种氮化物半导体发光器件及其制作方法。所述氮化物半导体发光器件包括外延结构，所述外延结构具有第一面和与第一面相背对的第二面，所述第一面为 |
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