| 专利名称 | 钛铌镁酸铅铁电薄膜氮化镓基外延集成及其制备方法 | 申请号 | CN201810019438.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108269912A | 公开（授权）日 | 2018.07.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 李效民;黎冠杰;徐小科;高相东;毕志杰;陈永博 | 主分类号 | H01L41/187(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L41/187(2006.01)I;H01L41/316(2013.01)I;H01L41/319(2013.01)I | 专利有效期 | 钛铌镁酸铅铁电薄膜氮化镓基外延集成及其制备方法 至钛铌镁酸铅铁电薄膜氮化镓基外延集成及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及钛铌镁酸铅铁电薄膜氮化镓基外延集成及其制备方法，所述钛铌镁酸铅铁电薄膜是由通过脉冲激光沉积技术依次形成在氮化镓半导体衬底上的TiO2缓冲层、钴酸锶镧缓冲层以及钛铌镁酸铅铁电薄膜构成；所述氮化镓半导体衬底的取向包括（0002）面，所述钛铌镁酸铅铁电薄膜的外延取向为（111）面，所述钴酸锶镧缓冲层的外延取向为（111）面，所述TiO2缓冲层为金红石相、外延取向为（100）面。 |
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