| 专利名称 | 一种红外探测器及其制备方法 | 申请号 | CN201611160619.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108231926A | 公开（授权）日 | 2018.06.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 黄勇;熊敏;杨辉 | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/109(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种红外探测器及其制备方法 至一种红外探测器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种红外探测器，从下至上依次包括：衬底、p型InAs/GaSb超晶格下接触层、p型InAs/GaSb超晶格吸收层、InGaAs/InAs/InAsSb/InAs/InGaAs超晶格势垒层、p型InAs/GaSb超晶格上接触层；以及，设置于p型InAs/GaSb超晶格下接触层的上端面的下电极和设置于p型InAs/GaSb超晶格上接触层的上端面的上电极。本发明使用无Al的InGaAs/InAs/InAsSb/InAs/InGaAs?W型超晶格作为势垒层，材料容易外延生长，并且长期稳定性和可靠型较高。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障