| 专利名称 | 一种三元黄铜矿半导体晶体砷锗镉制备方法 | 申请号 | CN201711456679.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108193270A | 公开（授权）日 | 2018.06.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 王振友;吴海信;毛明生;倪友保;黄昌保;陈诗静;马佳仁 | 主分类号 | C30B29/10(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/10(2006.01)I;C30B11/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种三元黄铜矿半导体晶体砷锗镉制备方法 至一种三元黄铜矿半导体晶体砷锗镉制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种三元黄铜矿半导体晶体砷锗镉制备方法；首先在惰性气体手套箱中进行高纯Cd、Ge、As单质的称料和装料；接着在真空排气台上利用高纯Ar气多次清洗生长坩埚，最后充入适当压力的Ar惰性气体以抑制组分挥发。采用类单温区方式合成原料，通过减小坩埚内的自由空间，控制Cd、As挥发量；在化合完成后机械摇晃熔体，促进原料均匀。合成完成后直接进行生长，采用改进的水平布里奇曼法，通过电机使炉体与坩埚产生相对位移，逐渐冷凝熔体获得晶体。本方法既可避免垂直布里奇曼法生长晶体容易开裂的问题，同时还可避免温度梯度冷凝法温度微小波动产生杂质相的问题。本方法制备工艺简单，生长的晶体具有氧污染少，组分接近理想化学计量比，不易开裂以及无杂质相等优点。 |
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