| 专利名称 | 多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制作方法 | 申请号 | CN201611063646.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108110613A | 公开（授权）日 | 2018.06.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 周旭亮;李召松;王梦琦;王嘉琪;于红艳;潘教青;王圩 | 主分类号 | H01S5/12(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/12(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I | 专利有效期 | 多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制作方法 至多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制备方法，其中制备方法包括以下步骤：在衬底上依次外延生长缓冲层、有源区和光栅层；通过塔尔博特干涉曝光方法在光栅层中形成不同周期的光栅以对应不同的发射波长；在光栅层上依次外延生长覆盖层和接触层；刻蚀形成激光器阵列的脊台结构；掩埋、制作电极，完成器件制备。本发明中的塔尔博特干涉曝光使用不同周期的光刻板设计，通过一次曝光完成不同周期光栅的制作，从而实现半导体激光器阵列的多波长，减少了工艺步骤，提高了成品率；本发明可以实现激光器多波长直接输出、波导耦合输出等。 |
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