| 专利名称 | 多层网涂硼厚GEM中子探测器 | 申请号 | CN201810092884.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108037524A | 公开（授权）日 | 2018.05.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院高能物理研究所 | 发明（设计）人 | 谢宇广;吕军光;李更兰 | 主分类号 | G01T1/16(2006.01)I | IPC主分类号 | G01T1/16(2006.01)I | 专利有效期 | 多层网涂硼厚GEM中子探测器 至多层网涂硼厚GEM中子探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种多层网涂硼厚GEM中子探测器，包括平行且并排设置的漂移电极和读出电极，漂移电极和读出电极之间平行设置有中子转换体；其中，中子转换体包括至少一层金属网，金属网的表面涂硼，且漂移电极面向读出电极的表面涂硼；中子转换体与漂移电极之间平行设置有厚型气体电子倍增器。本发明的多层网涂硼厚GEM中子探测器将转换区和倍增区分开，转换区可基于多个涂硼的金属网基底可大大提高中子探测效率，不会浪费昂贵的硼10材料，且倍增区的厚GEM耐用，增益容易控制。 |
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