| 专利名称 | 一种透明导电氧化物薄膜-纳米线网络的制备方法 | 申请号 | CN201711259283.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108022694A | 公开（授权）日 | 2018.05.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 孟钢;方晓东;陶汝华;董伟伟;王时茂 | 主分类号 | H01B13/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B13/00(2006.01)I;H01B1/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 专利有效期 | 一种透明导电氧化物薄膜-纳米线网络的制备方法 至一种透明导电氧化物薄膜-纳米线网络的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种透明导电氧化物薄膜?纳米线网络的制备方法。本发明包括步骤1，利用脉冲激光沉积方法在清洁的基底表面生长出透明导电氧化物薄膜；步骤2，然后将表面沉积有透明导电氧化物薄膜的基底取出并在所述透明导电氧化物薄膜表面的指定区域沉积金催化剂膜；步骤3，之后利用脉冲激光沉积方法在所述金催化剂膜表面生长出透明导电纳米线。通过重复步骤2，步骤3获得多级分叉纳米线网络。本发明提供了一种在微纳尺度下设计人工纳米线网络的方法。本发明能实现包括氧化铟锡，氟、锑掺杂氧化锡在内的多种透明导电氧化物纳米线在透明导电基底指定区域的生长，并且能精细地调节纳米线的自组装生长，包括每一步的分叉生长。 |
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