| 专利名称 | 基于单个粒子的梯度相位实现Si波导单向散射的方法 | 申请号 | CN201711334932.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107942436A | 公开（授权）日 | 2018.04.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 罗先刚;蒲明博;郭迎辉;马晓亮;李雄 | 主分类号 | G02B6/12(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B6/12(2006.01)I | 专利有效期 | 基于单个粒子的梯度相位实现Si波导单向散射的方法 至基于单个粒子的梯度相位实现Si波导单向散射的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于单个粒子的梯度相位实现Si波导单向散射的方法，用于解决现有的Si波导单向散射依赖于多个结构之间的干涉，且不能实现散射方向切换的问题。该方法通过单个粒子的自旋?轨道相互作用，在沿波导传播的方向产生符号(正/负)与入射光手性相关的梯度相位，其作用等效为正入射的圆偏振光提供一个横向传播的波矢，从而实现单向散射，通过改变入射光的手性可以实现不同散射方向的切换，避免了对多个结构之间干涉的依赖，使得系统的工作带宽、鲁棒性以及灵活性得到大幅提高。 |
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