| 专利名称 | 一种制备钴基氧化物超薄纳米片的方法 | 申请号 | CN201711156450.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107902702A | 公开（授权）日 | 2018.04.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院大学 | 发明（设计）人 | 刘向峰;高睿;黄淇;曾子建;胡中波 | 主分类号 | C01G51/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G51/04(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种制备钴基氧化物超薄纳米片的方法 至一种制备钴基氧化物超薄纳米片的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种制备钴基氧化物超薄纳米片的方法，属于纳米材料制备技术领域。本方法在低温液相搅拌条件下即可制得有机前驱体，再通过严格控制煅烧温度、煅烧时间煅烧气氛，即可制得钴基氧化物超薄纳米片，惰性气氛中煅烧可得到氧化亚钴纳米片。同时将本方法中的一部分钴盐代替为乙酸镍，乙酸锰，均可以得到具有尖晶石结构的超薄钴基氧化物纳米片。本发明方法可以直接在室温下合成前驱体，快捷高效，煅烧步骤简单省时。本方法制备的钴基氧化物纳米片结晶性良好，厚度分布均匀。本方法使用的原料成本低廉、易于获得、且对环境污染较小，反应条件温和且易于控制，反应溶剂可直接回收再利用，因而易于实现工业化生产。 |
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