| 专利名称 | 磁控溅射制备A相二氧化钒薄膜的方法 | 申请号 | CN201610744315.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107779831A | 公开（授权）日 | 2018.03.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 曹逊;金平实;孙光耀;李荣 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I | 专利有效期 | 磁控溅射制备A相二氧化钒薄膜的方法 至磁控溅射制备A相二氧化钒薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及磁控溅射制备A相二氧化钒薄膜的方法，以金属钒靶或氧化钒陶瓷靶作为靶材，以氩气为溅射气体、以及以氧气为反应气体对所述靶材进行溅射以在衬底上形成A相二氧化钒薄膜。A相二氧化钒的晶胞参数为aA=0.844nm,bA=0.844nm,cA=0.767nm，采用衬底晶格参数与A相二氧化钒匹配为本发明的关键。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障