| 专利名称 | 透明导电薄膜、光电器件及其制作方法 | 申请号 | CN201610542566.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107610802A | 公开（授权）日 | 2018.01.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 方小红;徐一麟;王聪;尤莹;陈小源;万吉祥 | 主分类号 | H01B1/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B1/02(2006.01)I;H01B1/06(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 专利有效期 | 透明导电薄膜、光电器件及其制作方法 至透明导电薄膜、光电器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种透明导电薄膜、光电器件及其制作方法，包括：目标结构；银纳米线薄膜层，位于目标结构表面；透明导电聚合物填充层，填充于银纳米线薄膜层内部的空隙，且覆盖银纳米线薄膜层。透明导电薄膜具有高导电性和高透过率的优点；通过对银纳米线薄膜层进行亲水处理使得透明导电聚合物填充层能够在其上均匀涂布；并且通过透明导电聚合物填充层与石墨烯薄膜的覆盖，在保证透明导电薄膜高透过率、高导电性的同时，有效地降低了其表面的粗糙度；同时所述透明导电薄膜还具备可弯曲特性，在柔性衬底上制备上述透明导电薄膜经过数次弯曲后，透过率与方块电阻均无明显变化，表现出替代ITO用于光电器件、尤其是应用于柔性光电器件的极大潜力。 |
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