| 专利名称 | 一种异质种子中孔单晶金红石二氧化钛可控生长制备方法 | 申请号 | CN201610486297.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107540014A | 公开（授权）日 | 2018.01.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 刘岗;吴亭亭;甄超;成会明 | 主分类号 | C01G23/053(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G23/053(2006.01)I;B01J21/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种异质种子中孔单晶金红石二氧化钛可控生长制备方法 至一种异质种子中孔单晶金红石二氧化钛可控生长制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及异质种子中孔金属氧化物制备领域，具体为一种异质种子中孔单晶金红石二氧化钛可控生长的制备方法。该方法通过湿化学过程以四氯化钛作为前驱体，含有异质种子的二氧化硅球作为模板，水热生长具有特定晶面暴露的金红石二氧化钛，刻蚀模板后得到含异质种子的中孔单晶金红石二氧化钛，能够实现异质种子外延生长助催化剂，解决了催化剂与助催化剂界面接触质量较差，光催化效率较低的问题。与传统种子模板法不同，本发明将四氯化钛前驱体和含异质种子二氧化硅模板装入反应釜中，经加热处理，刻蚀后得到特定晶面暴露的中孔单晶金红石二氧化钛。 |
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