| 专利名称 | 一种单一取向氧化铱纳米阵列制备及膜电极的构筑方法 | 申请号 | CN201710661843.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107490652A | 公开（授权）日 | 2017.12.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院广州能源研究所 | 发明（设计）人 | 闫常峰;卢卓信;史言;郭常青;王志达;谭弘毅 | 主分类号 | G01N31/10(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N31/10(2006.01)I;G01N27/333(2006.01)I | 专利有效期 | 一种单一取向氧化铱纳米阵列制备及膜电极的构筑方法 至一种单一取向氧化铱纳米阵列制备及膜电极的构筑方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种单一取向氧化铱纳米阵列制备及膜电极的构筑方法，包括如下步骤：(1)将钛片通过阳极腐蚀法制备二氧化钛纳米管阵列；(2)在二氧化钛纳米管阵列内部填充氧化铱；(3)将沉积有氧化铱的二氧化钛纳米管阵列热压于Nafion聚合物膜上，得到未除去模版的膜电极组件；(4)对步骤(3)中未除去模版的膜电极组件依次使用不同质量分数的氢氟酸进行腐蚀，以分步去除模板中的金属钛与二氧化钛纳米管阵列。本发明选用导电的二氧化钛纳米管阵列作为模版，从而免除对多孔模版进行导电前处理的步骤，同时采用两步法去除二氧化钛纳米管阵列以实现在不损伤氧化铱纳米阵列结构的同时去除模版。 |
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