| 专利名称 | AlN基板高效散热HEMT器件及其制备方法 | 申请号 | CN201710671295.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107481982A | 公开（授权）日 | 2017.12.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 汪连山;吉泽生;赵桂娟;孟钰淋;李方政;杨少延;王占国 | 主分类号 | H01L23/373(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/373(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I | 专利有效期 | AlN基板高效散热HEMT器件及其制备方法 至AlN基板高效散热HEMT器件及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本公开提供了一种AlN基板高效散热HEMT器件，自下而上包括：AlN陶瓷基板、AlN成核层、AlN高阻层、GaN或InxGa1?xN沟道层、AlyIn1?yN空间电荷层、以及AlzGa1?zN势垒层；其中，所述AlN陶瓷基板与所述AlN成核层之间键合连接，所述AlN陶瓷基板用于对所述HEMT器件进行散热。本公开还提供了一种AlN基板高效散热HEMT器件的制备方法。本公开HEMT器件及其制备方法，散热能力大幅提高，成本相对较低，工艺简单，有效提高了击穿电压，减少了寄生电容，提高了HEMT器件的性能。 |
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