| 专利名称 | 太赫兹成像阵列芯片及其制作方法、成像系统 | 申请号 | CN201710783618.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107478336A | 公开（授权）日 | 2017.12.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 薛宁;孙建海;刘春秀 | 主分类号 | G01J5/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01J5/00(2006.01)I | 专利有效期 | 太赫兹成像阵列芯片及其制作方法、成像系统 至太赫兹成像阵列芯片及其制作方法、成像系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种太赫兹成像阵列芯片及其制作方法、成像系统。其中，太赫兹成像阵列芯片，由太赫兹成像单元按照像素点等间距排列，该太赫兹成像单元包括：衬底；太赫兹吸收层结构板，位于衬底上方，与衬底之间存在距离；悬空驱动臂，位于太赫兹吸收层结构板的两侧，其中一端固定，一端悬空，悬空的一侧与太赫兹吸收层结构板固定，包括两层不同膨胀系数的材料；以及固定结构，连接衬底和悬空驱动臂的固定端。该太赫兹成像阵列芯片具有自动的温度补偿功能；并采用激光及CCD光学信号采集系统直接成像，省去了与输出电路的集成，结构简单，成本较低。 |
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