| 专利名称 | 一种铅镓锗硫晶体，其制备方法及应用 | 申请号 | CN201710404219.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107338478A | 公开（授权）日 | 2017.11.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 黄一枝;张浩;程文旦;柴国良 | 主分类号 | C30B29/46(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/46(2006.01)I;C30B9/06(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I | 专利有效期 | 一种铅镓锗硫晶体，其制备方法及应用 至一种铅镓锗硫晶体，其制备方法及应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
本申请涉及无机非线性光学材料领域，具体讲，涉及一种铅镓锗硫晶体，其制备方法及应用。本申请的铅镓锗硫晶体的化学式为PbGa2GeS6，属正交晶系，空间群Fdd2，单胞参数为： |
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