| 专利名称 | 厚体硅反射式单级衍射光栅的制作方法 | 申请号 | CN201610258571.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107305260A | 公开（授权）日 | 2017.10.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱效立;施百龄;谢常青;华一磊 | 主分类号 | G02B5/18(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B5/18(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 专利有效期 | 厚体硅反射式单级衍射光栅的制作方法 至厚体硅反射式单级衍射光栅的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种厚体硅反射式单级衍射光栅的制作方法。所述方法是先利用电子束直写光刻制备薄硅反射式单级衍射光栅，再利用晶圆低温键合工艺，把薄硅反射式单级衍射光栅与厚体硅键合，形成厚体硅反射式单级衍射光栅。本发明解决了现有技术中无法制作厚体硅反射式单级衍射光栅的技术问题，而且，本发明的厚体硅反射式单级衍射光栅的制作方法的键合过程不要高压、高温环境，且制作方法简单，从而能够适用于大批量生产。 |
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