| 专利名称 | 一种半导体激光器以及制作方法以及设备 | 申请号 | CN201710525195.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107302184A | 公开（授权）日 | 2017.10.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 张建伟;宁永强;张星;贾鹏;秦莉;王立军 | 主分类号 | H01S5/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体激光器以及制作方法以及设备 至一种半导体激光器以及制作方法以及设备 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器以及制作方法以及设备，该半导体激光器包括：衬底；设置在衬底一侧的N面波导层；设置在衬底一侧且背离N面波导层的N面电极；设置在N面波导层一侧且背离衬底的发光区；设置在发光区一侧且背离N面波导层的P面波导层；设置在P面波导层一侧且背离发光区的P面盖层；设置在P面盖层一侧且背离P面波导层的P面电极；设置在P面盖层上且内嵌至P面电极中的电流阻挡层；其中，电流阻挡层将P面电极划分为多个电流注入区域，且电流注入区域的大小由P面电极的中间至两端逐步减小。该半导体激光器具备高输出功率以及高光束质量的特点。 |
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