| 专利名称 | 一种晶体电子密度分布模型的评价方法及其应用 | 申请号 | CN201710414196.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107271468A | 公开（授权）日 | 2017.10.20 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 李晖;贺蒙 | 主分类号 | G01N23/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N23/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种晶体电子密度分布模型的评价方法及其应用 至一种晶体电子密度分布模型的评价方法及其应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种晶体电子密度分布模型的评价方法及其应用。所述评价方法包括：S1.计算待测晶体的正确电子密度分布模型在经历第一微扰后的结构振幅值，所述第一微扰使得所述待测晶体中各原子的正确电子密度分布模型在经历微扰后在晶胞内的加和与其对应的原子的核外电子数目相同；S2.计算待测晶体的当前电子密度分布模型在经历微扰后的结构振幅值，所述微扰使当前电子密度分布模型中的低密度区发生改变；S3.比较S2中结构振幅值与S1中结构振幅值，以评价当前电子密度分布模型。本发明的评价方法可以用于晶体结构分析。在较低数据分辨率条件下，传统的评价方法已经失效，而本发明提供的评价方法依然有效。 |
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