| 专利名称 | 一种硅锗合金基热电元件及其制备方法 | 申请号 | CN201610209315.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107293636A | 公开（授权）日 | 2017.10.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 吴洁华;夏绪贵;杨小燕;顾明;陈立东 | 主分类号 | H01L35/32(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L35/32(2006.01)I;H01L35/08(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I | 专利有效期 | 一种硅锗合金基热电元件及其制备方法 至一种硅锗合金基热电元件及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种硅锗合金基热电元件及其制备方法，所述硅锗合金基热电元件由电极层、硅锗合金基热电层以及位于电极层和硅锗合金基热电层之间的阻挡层组成，所述阻挡层为硅化物与氮化硅的混合物，所述硅化物为硅化钼、硅化钨、硅化钴、硅化镍、硅化铌、硅化锆、硅化钽、硅化铪中的至少一种。本发明提供的硅锗合金基热电元件中各界面结合良好，界面处未见裂纹与明显的扩散现象存在，接触电阻小，热接触状态好，且能够经受长时间的高温加速试验。另外，本发明提供的制备方法具有工艺简单、可靠性高、成本低、无需特殊设备、适合规模化生产等特点。 |
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