| 专利名称 | 芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法 | 申请号 | CN201710399111.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107256911A | 公开（授权）日 | 2017.10.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 谢海忠;闫建昌;魏学成;魏同波;宋昌斌;张韵;王军喜;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/58(2010.01)I | 专利有效期 | 芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法 至芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法，包括以下步骤：将P、N电极分开的深紫外芯片固定在石英透镜上；在深紫外芯片侧面填充液体胶，使得液体胶的上表面与所述深紫外芯片的P、N电极平齐，并固化液体胶；将第一AuSn片固定在所述深紫外芯片P、N电极上方并且覆盖在液体胶上表面，并预留P、N电极的隔离道；将第二AuSn片固定在基板上，所述第二AuSn片与所述第一AuSn片上下对齐；将所述第一AuSn片和所述第二AuSn片共晶融合，完成封装。本发明将芯片尺寸工艺用在深紫外LED封装上，提高了封装效率，降低了封装成本；共晶封装工艺解决了深紫外LED芯片的散热问题，提高了深紫外LED的寿命。 |
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