| 专利名称 | 一种化学机械研磨缺陷检测方法 | 申请号 | CN201610144525.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107195561A | 公开（授权）日 | 2017.09.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 曹鹤;陈岚;张贺 | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/66(2006.01)I;B24B37/005(2012.01)I | 专利有效期 | 一种化学机械研磨缺陷检测方法 至一种化学机械研磨缺陷检测方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及集成电路制造工艺和版图设计技术领域，具体涉及一种化学机械研磨的缺陷检测方法，该方法包括：提取CMP工艺前的材料结构信息；确定CMP相关工艺参数；建立符合CMP去除机理的CMP预测模型；进行CMP缺陷检测版图设计，确定CMP工艺缺陷产生条件。利用本发明可以在版图设计阶段最小化化学机械研磨工艺缺陷区域面积，从而减小冗余金属填充数量，提高产品优良率。 |
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