| 专利名称 | GaN基激光器及其制备方法 | 申请号 | CN201710559781.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107204567A | 公开（授权）日 | 2017.09.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 赵德刚;梁锋 | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | 专利有效期 | GaN基激光器及其制备方法 至GaN基激光器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种氮化镓基激光器的制备方法，其包括以下步骤：S1：在氮化镓衬底上依次生长n型限制层、下波导层、量子阱有源区、复合上波导层、p型电子阻挡层、p型限制层、p型欧姆接触层；S2：将p型欧姆接触层、p型限制层、p型电子阻挡层和复合上波导层刻蚀成激光器脊型；S3：在制作成的脊型上生长一层氧化膜，并采用光刻的方法制作p型欧姆电极；S4：将氮化镓衬底减薄、清洗，并在上面制作n型欧姆接触电极；S5：进行解理、镀膜，然后封装在管壳上，制成一种具有复合上波导层的氮化镓基激光器，完成制备。本发明还提供了一种氮化镓基激光器。本发明可以提高电子阻挡层的有效势垒，提高光功率和斜率效率。 |
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