| 专利名称 | 一种声表面波传感器芯片结构及传感器 | 申请号 | CN201710198913.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107145931A | 公开（授权）日 | 2017.09.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院声学研究所 | 发明（设计）人 | 李红浪;蔡飞达;李鹏旭;柯亚兵;田亚会;程利娜 | 主分类号 | G06K19/07(2006.01)I | IPC主分类号 | G06K19/07(2006.01)I;G01D5/48(2006.01)I;H02N2/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种声表面波传感器芯片结构及传感器 至一种声表面波传感器芯片结构及传感器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种声表面波传感器芯片结构，该结构包括，压电基片(21)和叉指换能器(20)；其中，叉指换能器(20)包括汇流条(22)和电极部分(23)，电极部分(23)设置为尖角结构；压电基片(21)用于积聚电能；叉指换能器(20)用于将电能转化为机械能，在传播路径上调制声波信号，通过逆压电效应，将机械能转化为电能，为声表面波传感器提供能量。本发明能够使SAW传感器的读写范围大大提升，实现更远距离的接收，满足传感器市场对于读写范围的需求。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障