| 专利名称 | 阻变存储器的存储状态的调控方法 | 申请号 | CN201710264856.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107134525A | 公开（授权）日 | 2017.09.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 龙世兵;李磊磊;滕蛟;刘琦;吕杭炳;刘明 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 阻变存储器的存储状态的调控方法 至阻变存储器的存储状态的调控方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请提供了一种阻变存储器的存储状态的调控方法。阻变存储器包括两个电极层与两个电极层之间的绝缘层，两个电极层分别是第一电极层与第二电极层，至少一个电极层为铁磁电极层，存储状态的调控方法包括：步骤S1，向两个电极层之间施加第一电压，使得至少一个铁磁电极层的电势高于另一个电极层的电势，使得绝缘层中形成磁通道；步骤S2，向两个电极层之间施加第二电压，使得一个铁磁电极层中的铁磁材料发生相变。该调控方法不涉及到导电细丝的断裂过程，缓解了电阻转变的波动性，使得RRAM形成的RRAM阵列得到更广泛地应用，该调控方法操作简单，能降低存储器外围电路设计成本低，有利于其大规模集成和实际应用。 |
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