| 专利名称 | 一种图形化纳米介质层的制备方法及装置 | 申请号 | CN201710253410.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107104042A | 公开（授权）日 | 2017.08.29 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 金梅花;胡海峰;贺涛 | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/311(2006.01)I | 专利有效期 | 一种图形化纳米介质层的制备方法及装置 至一种图形化纳米介质层的制备方法及装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种图形化纳米介质层的制备方法及装置，包括：对于图形化介质层掩膜，在预设条件下对纳米介质层进行反应离子刻蚀处理；其中，所述预设条件为使位于所述纳米介质层下的金属导电层不受刻蚀的条件。通过控制预设条件，使反应离子刻蚀机仅对不受图形化介质层掩膜保护的纳米介质层进行刻蚀，同时使金属导电层不受刻蚀，使刻蚀处理更具有针对性。通过负性光刻胶图形化介质层掩膜可进行选择性刻蚀，更容易获得可控的图形化纳米介质层。 |
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