| 专利名称 | 阻变存储器及其制备方法 | 申请号 | CN201710387583.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107068860A | 公开（授权）日 | 2017.08.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 吕杭炳;刘明;龙世兵;刘琦 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 阻变存储器及其制备方法 至阻变存储器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种阻变存储器以及其制备方法，其中阻变存储器包括：下电极；含下电极金属的氧化物层，位于下电极之上；电阻转变层，位于含下电极金属的氧化物层之上，其中，所述电阻转变层材料为含氮的钽氧化物；插层，位于电阻转变层之上，其中所述插层材料为金属或半导体；上电极，位于插层之上。本发明阻变存储器通过设置含氮的钽氧化物电阻转变层，其与Ta2O5相比，具有较低的激活电压，高开关比的特点，还可以增加氧空位数量对器件电阻的调控能力。 |
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