| 专利名称 | 一种横向结构锗/硅异质结雪崩光电探测器及其制备方法 | 申请号 | CN201710029889.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107068784A | 公开（授权）日 | 2017.08.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所;青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 发明（设计）人 | 成步文;刘智;武文周;薛春来;李传波;张华 | 主分类号 | H01L31/028(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/028(2006.01)I;H01L31/107(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种横向结构锗/硅异质结雪崩光电探测器及其制备方法 至一种横向结构锗/硅异质结雪崩光电探测器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种横向结构锗/硅异质结雪崩光电探测器，器件制作在SOI(Silicon?on?Insulator)衬底上，具有双台面结构，包括：衬底、埋层氧化硅、硅台面区、硅空间区、硅接触区、电极和锗外延层。埋层氧化硅形成于硅衬底上，硅台面区形成于埋层氧化硅上，硅空间区形成于硅台面区两侧的埋层氧化硅上，硅接触区形成于硅空间区外侧的埋层氧化硅上，锗外延层形成于硅台面区上，电极与硅接触区欧姆接触。两个电极制作在硅层上，锗光吸收层在硅层上面，施加在两个电极上的偏压使光吸收层和硅层中形成强度不同的电场分布，光吸收在锗中实现而雪崩倍增过程在硅层中实现。 |
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