| 专利名称 | 一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器 | 申请号 | CN201710304793.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107039884A | 公开（授权）日 | 2017.08.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 朱忠赟珅;宋禹忻;李耀耀;韩奕;张振普;张立瑶;王庶民 | 主分类号 | H01S5/34(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/34(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器 至一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器，该有源区结构包括第一势垒层、Ge纳米线和第二势垒层，所述Ge纳米线位于所述第一势垒层和所述第二势垒层之间。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带隙，克服了硅不能直接带隙以及III?V族发光器件与现有的CMOS工艺不兼容的问题，同时也有利于单片集成，降低成本，促进光通信行业的良性发展。 |
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