| 专利名称 | 一种基于磁致伸缩效应的声表面波电流传感器 | 申请号 | CN201710267466.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107015048A | 公开（授权）日 | 2017.08.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院声学研究所 | 发明（设计）人 | 王文;贾雅娜 | 主分类号 | G01R19/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R19/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于磁致伸缩效应的声表面波电流传感器 至一种基于磁致伸缩效应的声表面波电流传感器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种基于磁致伸缩效应的声表面波电流传感器，所述声表面波电流传感器包括：压电基片、设置于压电基片上的第一延迟线及第二延迟线、相移器、放大器、混频器及设置于第二延迟线的叉指换能器之间的磁致伸缩合金薄膜。其中，该声表面波电流传感器还包括覆盖于压电基片表面的SiO2薄膜。本发明通过采用一种平行同向设置的双延迟线型结构，具有较高的检测灵敏度、良好的温度稳定性及易实施性，有效地解决了目前电流传感器存在的检测灵敏度低、检测精度低、稳定性差及不易实施的问题。 |
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