| 专利名称 | 一种Ⅲ族氮化物半导体材料螺位错的标定方法 | 申请号 | CN201710180416.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106971954A | 公开（授权）日 | 2017.07.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 陈一仁;宋航;黎大兵;缪国庆;蒋红;李志明;孙晓娟;张志伟 | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/66(2006.01)I;G01N23/22(2006.01)I | 专利有效期 | 一种Ⅲ族氮化物半导体材料螺位错的标定方法 至一种Ⅲ族氮化物半导体材料螺位错的标定方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种III族氮化物半导体材料螺位错的标定方法，通过首先在待测的III族氮化物半导体材料上生长纳米材料，得到螺位错处生长纳米材料的III族氮化物半导体材料；然后通过扫描电子显微镜对步骤1)得到的螺位错处生长纳米材料的III族氮化物半导体材料中的纳米材料进行观察，得到III族氮化物半导体材料的螺位错位置和螺位错密度；该方法对待测的III族氮化物半导体材料的预处理并没有特殊要求，且检测螺位错的方法也简单，且测试结果准确。 |
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