微流控芯片、其制作方法以及原位催化和检测方法

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专利名称 微流控芯片、其制作方法以及原位催化和检测方法 申请号 CN201610028885.5 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN106975526A 公开(授权)日 2017.07.25 申请(专利权)人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 发明(设计)人 顾志鹏;王腾飞;陈红梅;刘静静;聂富强 主分类号 B01L3/00(2006.01)I IPC主分类号 B01L3/00(2006.01)I;G01N21/65(2006.01)I 专利有效期 微流控芯片、其制作方法以及原位催化和检测方法 至微流控芯片、其制作方法以及原位催化和检测方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本申请公开了一种微流控芯片、其制作方法以及原位催化和检测方法,该微流控芯片是在硅基“Y”型通道内部加工出周期性尖峰微结构。该黑硅表面在经过氢氟酸氢化处理后,可实现银纳米粒子在尖峰微结构表面的原位化学生长,进而利用银-黑硅(Ag-BS)复合结构的大比表面积及粗糙度,提高了对硝基苯酚还原成对氨基苯酚催化反应的效率及反应活性。同时Ag-BS复合结构有助于表面等离子共振基元的形成,可用作表面增强拉曼散射(SERS)检测。该Ag-BS微纳结构复合器件在高度集成的化学合成、分析、生物传感及诊断等领域具有广阔的应用前景。

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