| 专利名称 | 一种高效的氢还原制备过渡金属氧化物缺陷的方法 | 申请号 | CN201510916875.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106861681A | 公开（授权）日 | 2017.06.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 徐颖峰;张玲霞;施剑林;魏晨阳 | 主分类号 | B01J23/44(2006.01)I | IPC主分类号 | B01J23/44(2006.01)I;B01J23/63(2006.01)I;B01J23/652(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高效的氢还原制备过渡金属氧化物缺陷的方法 至一种高效的氢还原制备过渡金属氧化物缺陷的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种高效的氢还原制备过渡金属氧化物缺陷的方法，包括：通过贵金属负载得到负载贵金属的过渡金属氧化物，将得到负载贵金属的过渡金属氧化物在还原性气氛下进行还原反应，得到所述含有缺陷的过渡金属氧化物。本发明将贵金属于过渡金属氧化物负载，可以很大程度上降低分子态氢变成原子态氢的反应势垒，之后就可以实现在常温常压的条件下用普通的氢氩气氛实现氢还原制备大量缺陷（包括所述过渡金属的低价还原态以及氧空位）的过渡金属氧化物材料，而且其缺陷能长期稳定的存在。本发明的方法简单易行，巧妙新颖，成本低，效率高，制备缺陷过渡金属氧化物具有较强的催化稳定性。 |
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