| 专利名称 | 一种晶体材料、其制备方法及包含其的非线性光学晶体 | 申请号 | CN201611108475.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106757365A | 公开（授权）日 | 2017.05.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 李淑芳;郭国聪;姜小明;徐忠宁;曾卉一 | 主分类号 | C30B29/46(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/46(2006.01)I;C30B1/10(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I | 专利有效期 | 一种晶体材料、其制备方法及包含其的非线性光学晶体 至一种晶体材料、其制备方法及包含其的非线性光学晶体 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种晶体材料、其制备方法、包含其的非线性光学晶体材料及其在激光器中的应用。所述晶体材料化学式为[A2M4Q7]n或[AM3Q5]n；A代表Na、K、Rb、Cs中的至少一种；M代表Ga和/或In；Q代表S和/或Se；1≤n≤4。该晶体材料具有优良的红外非线性光学性能，倍频强度可达同粒度商用AgGaS2的7.0倍，激光损伤阈值可达商用AgGaS2(可简写为AGS)的11倍。在中远红外波段激光倍频、和频、差频、光参量振荡等变频器件方面，具有重要的应用价值。 |
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