| 专利名称 | 一种环栅场效应晶体管及其制备方法 | 申请号 | CN201611243062.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106711194A | 公开（授权）日 | 2017.05.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王盛凯;李跃;刘洪刚;马磊;孙兵;常虎东;王博 | 主分类号 | H01L29/10(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/10(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 一种环栅场效应晶体管及其制备方法 至一种环栅场效应晶体管及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种环栅场效应晶体管及其制备方法，制备方法包括：在衬底上形成第一栅介质层、沟道层、第二界面控制层、源漏层和一半导体材料层；刻蚀去除半导体材料层，并在沟道区纵向方向刻蚀形成一凸字形结构，凸出部分刻蚀至第二界面控制层，两侧刻蚀至第一栅介质层；在沟道区凸出部分的两侧壁生长第三界面控制层，且在间隔源区和漏区一定距离的凸出部分的上表面自下而上形成第二栅介质层和第二栅金属层，并延伸至第三界面控制层的侧壁和凸出部分两侧平台的上表面；在源区和漏区的源漏层上表面靠外侧部分形成源漏金属层。本发明提出的晶体管可有效减少沟道散射，提高沟道载流子迁移率、栅控能力和电流驱动能力，有效抑制短沟道效应和DIBL效应。 |
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