| 专利名称 | 一种纳米级颗粒物过饱和增长装置及控制方法 | 申请号 | CN201611229980.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106680057A | 公开（授权）日 | 2017.05.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 张礁石;刘建国;桂华侨;余同柱;杨义新;杜朋;王文誉;赵欣;王杰;程寅;陆亦怀;刘文清 | 主分类号 | G01N1/30(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N1/30(2006.01)I;G01N15/06(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种纳米级颗粒物过饱和增长装置及控制方法 至一种纳米级颗粒物过饱和增长装置及控制方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种纳米级颗粒物过饱和增长装置及控制方法。该装置包括颗粒物样气通道、鞘气通道、饱和水蒸气通道、去离子水通道、气流比例控制装置和温度梯度控制装置。本发明是基于水蒸气凝结原理，将洁净鞘气包裹的带有大气颗粒物的样气通过饱和水蒸气通道，利用半导体制冷器和柔性加热器控制两级饱和水蒸气通道的温度，产生温度梯度，利用水蒸气扩散速率高于气体传热速率的特性使颗粒物周围的水蒸气过饱和，使得水蒸气凝结在颗粒物表面，促进颗粒物粒径增长。通过控制样气和鞘气的流量比例，或控制两级饱和水蒸气通道的温度差，来调节水蒸气过饱和度，实现对过饱和增长后的颗粒物粒径大小的动态控制。 |
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