| 专利名称 | 一种单光子雪崩二极管型像素电路 | 申请号 | CN201611122930.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106657826A | 公开（授权）日 | 2017.05.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 汪辉;黄景林;章琦;汪宁;田犁;叶汇贤;黄尊恺 | 主分类号 | H04N5/341(2011.01)I | IPC主分类号 | H04N5/341(2011.01)I;H04N5/355(2011.01)I;H04N5/3745(2011.01)I | 专利有效期 | 一种单光子雪崩二极管型像素电路 至一种单光子雪崩二极管型像素电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种单光子雪崩二极管型像素电路，包括：多个子像素阵列，各子像素阵列接收相同的控制信号，实现同步工作；其中，所述子像素阵列包括多个单光子雪崩二极管型像素单元及时间数字转换器，同一行单光子雪崩二极管型像素单元连接同一输入行控制信号、输出行控制信号，同一列单光子雪崩二极管型像素单元连接同一输入列控制信号、输出列控制信号及输出选通信号，各单光子雪崩二极管型像素单元的输出端连接同一时间数字转换器。本发明的单光子雪崩二极管型像素电路将像素阵列划分为多个子像素阵列，各像素阵列中的像素单元共用一个时间数字转换器，可大大增加感光面积占空比，减小像素尺寸，提高图像传感器的分辨率。 |
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