| 专利名称 | 半导体晶体管金属栅的集成工艺方法 | 申请号 | CN201510661889.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106601674A | 公开（授权）日 | 2017.04.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 杨红;王文武;赵超;殷华湘 | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体晶体管金属栅的集成工艺方法 至半导体晶体管金属栅的集成工艺方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体晶体管金属栅的集成工艺方法，采用多次沉积和剥离工艺，在不同器件区域形成了具有各种功函数的栅极叠层，各个栅极的功函数可以依照设计需求而定制，使得MOSFET的阈值电压可以按需调制；同时，本发明的方法与传统工艺完全兼容，在未大幅增加工艺复杂程度的前提下，能够简便、有效地制造具有各种功函数栅极的MOSFET器件。 |
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